Jurnal Internasional Bahan, Vol. 11, Halaman 2449: Struktur dan Elektron Mobilitas ScN Films Tumbuh pada α-Al2O3 (1                                                         1                   ¯                                                                 02) Substrat

Download Jurnal Disini

Bahan, Vol. 11, Halaman 2449: Struktur dan Elektron Mobilitas ScN Films Tumbuh pada α-Al2O3 (1
          
            
              
                
1
                  ¯
                
              
            
          
        02) Substrat

Bahan doi: 10.3390 / ma11122449

Penulis:
Takeshi Ohgaki
Isao Sakaguchi
Naoki Ohashi

Scandium nitride (ScN) film ditumbuhkan di & amp; alpha; -Al2O3 (1 1 & amp; macr; 02) substrat menggunakan metode epitaksi balok molekul, dan pertumbuhan heteroepitaxial dari ScN pada & amp; alfa; -Al2O3 (1 1 & amp; macr; 02) dan sifat listrik mereka dipelajari. Epitaxial ScN film dengan hubungan orientasi (100) ScN || (1 1 & amp; macr; 02) & amp; alfa; -Al2O3 dan [001] ScN || [ 11 2 ¯ 0 ] & amp; alfa; -Al2O3 ditanam di & amp; alpha; -Al2O3 (1 1 & amp; macr; 02) substrat. Anisotropi orientasi kristal mereka ditemukan kecil. Selain itu, [100] film ScN dimiringkan sepanjang (19459011) & amp; alfa; -Al2O3 (1 1 & amp; macr; 02) pada tahap awal pertumbuhan. Sudut kemiringan antara arah pertumbuhan film dan [100] ScN adalah 1,4 & amp; ndash; 2.0 & amp; deg; dan meningkat dengan suhu pertumbuhan. Kristalinitas film ScN juga meningkat dengan meningkatnya suhu pertumbuhan. Film dengan mobilitas Hall tertinggi diperoleh pada kondisi pertumbuhan batas yang ditentukan oleh hubungan antara kristalinitas dan komposisi nonstoikiometri karena film dengan kristalinitas tertinggi diperoleh di bawah kondisi pertumbuhan Sc-kaya. Penurunan mobilitas Hall dengan peningkatan simultan dalam kristalinitas film disebabkan oleh peningkatan hamburan pembawa oleh donor terionisasi yang berasal dari komposisi nonstoikiometrik.

Download Jurnal Disini
Jurnal

Bahan, Vol. 11, Halaman 2449: Struktur dan Elektron Mobilitas ScN Films Tumbuh pada α-Al2O3 (1
          
            
              
                
1
                  ¯
                
              
            
          
        02) Substrat

Leave a reply "Jurnal Internasional Bahan, Vol. 11, Halaman 2449: Struktur dan Elektron Mobilitas ScN Films Tumbuh pada α-Al2O3 (1                                                         1                   ¯                                                                 02) Substrat"

Author: 
    author